نواصل إن شاء الله ما بدأناه

الذاكـــرة الخارجـــية
الذاكرة هي المكان الذي يتم تخزين البيانات بداخله إما بشكل مؤقت ، أو تخزين المعلومات بشكل دائم ، ليست محصورة بموقع واحد في الحاسب وهناك الذاكرة الرئيسية التي يستخدمها نظام التشغيل والبرامج. حقيقة الأمر أن استخدام الذاكرة يدخل في الكثير من العتاد المستخدم لتشغيل الحاسب. المعالج و كرت الشاشة و كرت الصوت هي مجرد أمثلة على المكونات التي تحتاج إلى ذاكرة خاصة بها لكي تعمل.
ذاكرة ROM
هي ابسط أنواع الذاكرة. المسمى مشتق من Read Only Memory أي ذاكرة للقراءة فقط. هنا المعلومات تكتب على شريحة الذاكرة وتبقى هناك بدون تغيير ولا يمكن إضافة أي معلومات جديدة عليها. البرامج فيها ثابتة ، ولا تتلاشى ، فهي تبين للكمبيوتر العمليات والخطوات التي يجب ان يقوم بها في بداية تشغيل جهاز الحاسوب مثل :
1- عمليات الفحص الذاتي : (Power On Self Test (post .
2- برامج الإعداد: Setup.
3- برامج الإخراج و الإدخال: (Basic input Output System (BIOS .
وكذلك لحفظ برنامج البيوس للوحة الأم. هنا لا يمكن للمستخدم أن يغير أي من المعلومات الموجودة في الذاكرة. ميزة هذه الذاكرة هي بعدم احتياجها لأي طاقة كهربائية للاحتفاظ بالمعلومة. و تنقسم إلى ثلاثة أقسام:
(1) PROM
Programmable ROM :وهى قطعة من الذاكرة يمكن برمجتها مرة واحدة فقط. بعد أن تكتب المعلومات عليها لا يمكن مسحها أو تبديلها.
(2) EPROM
Erasable PROM :وهى نفس السابقة إلا انه يمكن مسح المعلومات الموجودة بهذه الذاكرة وذلك باستخدام الأشعة الفوق بنفسجية. هذه الأشعة يتم توجيهها إلى مجس خاص موجود على الذاكرة لفترة معينة من الوقت مما يؤدى لمسح كل المعلومات وبالتالي يمكن إعادة برمجة الذاكرة بمعلومات أخرى.
(3) EEPROM
Electrically Erasable PROM :هذه الذاكرة هي التي تستخدم الآن في اغلب اللوحات الأم الحديثة لحفظ برنامج البيوس , هذا النوع من الذاكرة يمكن مسح المعلومات الموجودة عليها و إعادة برمجتها باستخدام برامج خاصة. إذا رأيت كلمة Flash BIOS من ضمن مواصفات اللوحة الأم، فهذا يعنى أنها تستخدم هذا النوع من الذاكرة.
لكي تقوم الذاكرة بتخزين أي معلومة، فإنها تقسمها إلى بايت أولا ومن ثم تقسم البايت إلى 8 بت. كل بت يتم تخزينه في شريحة ذاكرة منفصلة. لذا فان اقل عدد من الشرائح التي يتم تركيبها على لوحة الذاكرة هي 8 شرائح. وهذا يعنى كذلك أن جميع الشرائح يجب أن تكون متشابهة بالحجم والنوع و أي خطا قد ينتج عنه مشاكل كبيرة ، ولتقليل الأخطاء التي قد تحدث أثناء عمل الذاكرة، تم اختراع تقنية لتصحيح أي أخطاء قد تقع ، هذه التقنية تسمى ECC وهى اختصار لجملة Error Correction Codeو تعتمد على أساس زيادة بت واحد لكل بايت. هذا الأمر يعنى أن كل معلومة سيكون حجمها 9 بت بدل 8. لذا فان الذاكرة المصممة للتعامل مع هذه التقنية، ستحتوى على عدد 9 شرائح بحد أدنى بدل 8.. هذا الأمر ليس بالضرورة يجب أن يكون متبعا بكل أنواع الذاكرة.
في ضوء الأنواع المختلفة من الذاكرة واختلاف تقنياتها وسرعاتها وكذلك احتياجها من الطاقة، فقد بات من الضروري إيجاد سبل تسمح بتمييز الذاكرة بالشكل وذلك لكي لا يتم تركيب نوع من الذاكرة على لوحة أم لا تدعمها ويتم بسبيلين :
الأول هو بعدد الوصلات التي تكون بين الذاكرة واللوحة الأم ، هنا الوصلات تكون بالجانب السفلي من لوحة الذاكرة وهو الجزء الذي يدخل بداخل الشق المخصص للذاكرة على اللوحة الأم.

بالإضافة لتمييز الشكل، فان عدد الوصلات (يرمز لها غالبا بالإبر) يحدد كذلك حجم المعلومة التي يمكن نقلها من الذاكرة إلى المعالج. أي انه كلما زاد عدد الإبر زاد معها حجم المعلومة التي يمكن نقلها. ولذا فان الأنواع الأحدث من الذاكرة تحتوى على عدد أكثر من الإبر.
الطريقة الثانية المستخدمة هي بتغيير موقع الحز (السن) والموجود بين الوصلات أو بإضافة أكثر من حز واحد وبمواقع مختلفة.
شرائح الذاكرة يمكن تركيبها على جانب واحد من اللوحة أو على جنبي اللوحة (من الأمام والخلف). إذا كانت الشرائح على جنب واحد فإنها تسمى SIMM وهى اختصار لجملة Single Inline Memory Module.

ذاكرة EDO DRAM :

هذه الذاكرة كانت تستخدم مع الجيل الأخير من معالجات Intel 485 والجيل الأول من معالجات Pentium.عرض الذاكرة هو 4.25 بوصة والارتفاع 1 بوصة تقريبا. عدد الإبر الموجودة عليها هو 72 إبرة وتحتوى على حز واحد في المنتصف. هذه الذاكرة تأتى بشكل SIMM فقط.
ذاكرة FPM DRAM :

هذه الذاكرة انقرضت تقريبا من الوجود حالها حال الأجهزة التي كانت تستخدم عليها وهى المعتمدة على معالجات Intel 386 والجيل الأول من 486
عرض هذه الذاكرة كان 3.5 بوصة والارتفاع يعادل ثلاث أرباع البوصة. الذاكرة تكون بشكل SIMM ولا تحتوى على أي حز. عدد الإبر الموجودة على الذاكرة يبلغ 30 إبرة.
ذاكرة RAM
ربما هذا المسمى هو ما يربطه غالب المستخدمين بالذاكرة. هذا الاسم مشتق من Random Access Memory أي لا تستطيع تخزين المعلومة بدون وجود طاقة كهربائية والمعلومة المخزنة يتم مسحها عند فصل الذاكرة عن الطاقة.
وافضل شرح لهذا المسمى هو الذاكرة التي يمكن الولوج إليها بشكل غير منظم. ولشرح كلمة غير منظم يجب أن نشرح كيف يتم تخزين المعلومة في الذاكرة.
الذاكرة مقسمة إلى خانات وتسمى صفحات. كل صفحة لها عنوانها الخاص. عند الاحتياج إلى أي معلومة مخزنة في الذاكرة فانه يتم الولوج إليها مباشرة من خلال عنوانها الخاص بها, عند عدم وجود عنوان خاص لكل صفحة، فانه لإيجاد المعلومة يجب البحث بكل الصفحات لغاية العثور على المعلومة المطلوبة. هذا البحث يتم بطريقة منظمة أي البحث بأول خانة ومن ثم الثانية والثالثة وهلم جرا.
أنواع الذاكرة RAM أسرع بكثير من ROM. لذا فان الكثير من اللوحات الأم تسمح عند بداية تشغيل الجهاز بوضع نسخة من برنامج البيوس في الذاكرة RAM واستخدامها من هناك. هذا الأمر يحسن من أداء الجهاز.
مثل ذاكرة ROM، تنقسم ذاكرة RAM إلى عدة أنواع:
(1) SRAM
Static RAM : المعنى المقصود من كلمة Static هى ثبات المعلومة. عندما تودع المعلومة في هذه الذاكرة فإنها تبقى هناك بدون الحاجة إلى تنشيطها بين فترة وأخرى. الوقت الوحيد الذي تتغير فيه المعلومة هو عندما يطلب من الذاكرة تغييرها, SRAM يعتبر أسرع أنواع الذاكرة، ولكن بسبب غلاء سعره، فان استخدامه في العادة يكون محصورا بداخل المعالج كذاكرة مخبئيه (Cache Memory) من الدرجة الأولى أو الثانية.
(2) ASRAM
A sync SRAM : تعتبر من النوعيات القديمة من SRAM. هذه الذاكرة تعمل بتردد منفصل عن المعالج. لذا تجدها مستخدمة كذاكرة مخبئيه من الدرجة الثانية لكثير من المعالجات القديمة والتي كانت فيها الذاكرة المخبئيه تركب على اللوحة الأم وليس المعالج.
مثال على ذلك، إذا كانت سرعة الناقل الأمامي للمعالج 66 ميغا هرتز فان هذه الذاكرة قد تعمل على سرعة 33 ميغاهرتز.
(3) SSRAM
Sync SRAM : بمعنى أن الذاكرة تعمل بنفس تردد الناقل الأمامي للمعالج.
(4) PBSRAM
Pipeline Burst SRAM : هي اكثر نوع من هذه الذاكرة مستخدم حاليا. لشرح هذا النوع من الذاكرة يجب أن نبتعد قليلا عن الذاكرة والدخول في عالم المعالج لنشرح المقصود بكلمة Pipeline. هذه التقنية تسمح للمعالج بأداء اكثر من مهمة بنفس الوقت كجزء من ذاكرته الداخلية. يمكن تشبيهها بخط الإنتاج المستخدم في المصانع. بدل أن يكون هناك عامل واحد يقوم بتجميع المنتج، يوجد هناك خط سير يقوم عليه العديد من العمال. كل عامل منهم يقوم بتجميع جزء من هذا المنتج لكي ننتهي بأخر المطاف بمنتج جاهز وبأسرع وقت ممكن.
من مميزات هذه الذاكرة، قدرتها على العمل بسرعة تردد اكثر من 66 ميغاهرتز، مما يجعلها مناسبة للمعالجات الحديثة والتي تعمل بسرعات قد تصل إلى 400 ميغاهرتز.
(5) VRAM
Video RAM : هي نوع من الذاكرة المخصصة لكروت الشاشة. تتميز هذه الذاكرة بسرعتها وتخصصها في التعامل مع تقنية الشاشة. الميزة الرئيسية لهذا النوع من الذاكرة هو إمكانيتها التعامل مع RAMDAC (القطعة المسوولة عن تحديث الصورة على الشاشة) ومعالج كرت الشاشة بنفس الوقت, اختراع أنواع أخري من الذاكرة والتي تستطيع العمل بشكل أسرع من VRAM أدي إلي توقف استخدامها في الكروت الحديثة.

(6) WRAM
Window RAM : هو نوع متطور من VRAM ليس له أي علاقة بنظام التشغيل Microsoft Windows وأي تشابه في التسمية هو مجرد مصادفة ,تم تعديل بعض التقنيات المستخدمة في هذا النوع من الذاكرة عن سابقتها مما أدى إلى زيادة في سرعة نقل المعلومة تعادل 25% زيادة عن VRAM.

(7) SGRAM
Synchronous Graphics RAM : هي الجيل الثالث من الذواكر المختصة بكروت الشاشة. يتميز بعمله بنفس سرعة الناقل الأمامي للمعالج لغاية 100 ميغاهرتز. ويستطيع فتح صفحتين من المعلومات بنفس الوقت مما يجعلها أسرع من سابقها.
ألا ن ندخول إلى الذاكرة التي تهم غالب المستخدمين أو بالأحرى التي للمستخدمين الحرية باختيارها.
(8) DRAM
بعكس SRAM فان ذاكرة Dynamic RAM لا تستطيع الاحتفاظ بالمعلومة لفترة طويلة. المعلومات يجب تنشيطها باستمرار. هنا تقوم الذاكرة بإعادة كتابة المعلومة عدة مئات من المرات في الثانية. و لأنها ارخص من SRAM فإنها تستخدم بغزارة كذاكرة رئيسية لجهاز الحاسب. و تنقسم إلى عدة أنواع.

(9) FPM DRAM
Fast Page Mode DRAM : هو من الأنواع القديمة من الذاكرة كانت تستخدم عندما كانت أجهزة الحاسب نعمل بمعالجات 286 أو 386. تعمل بسرعة ولوج تعادل 120 نانو ثانية، أي أن المعالج يحتاج أن ينتظر هذه المدة لكي يستطيع الدخول إلى الذاكرة واسترجاع أو إيداع المعلومة. و تم تحسين سرعة الولوج لهذه الذاكرة لكي تصل إلى 60 نانو ثانية إلا أنها لازالت تعتبر بطيئة.
(10) EDO DRAM
لتحسين سرعة الولوج، تم اختراع ذاكرة Extended Data Out DRAM، هنا تم تسريع عملية ولوج المعالج إلى الذاكرة بواسطة السماح له بالولوج بعملية جديدة قبل انتهاء العملية التي سبقتها إلا أنها لا تستطيع العمل على سرعات تردد اكثر من 66 ميغاهرتز.
(11) BEDO DRAM
Burst EDO DRAM : كانت محاولة لتسريع عمل EDO RAM. الفكرة من تقنية Burst تتمثل في إرسال المعلومة إلى الذاكرة بشكل دفعات ، و أول دفعة من المعلومة تحتوى على عناوين المعلومات التي تتبعها، لذا فان باقي المعلومة سيتم التعامل معها بشكل أسرع حيث انه تم التجهيز لاستقبالها. و برغم نجاح هذه التقنية في تسريع سرعة الولوج إلى الذاكرة لما يقارب 10 نانو ثانية، إلا أن عدم قدرتها على العمل بسرعة تردد أعلي من 66 ميغاهرتز أدى إلي اضمحلالها بغياهب النسيان.
* الذاكرة السريعة : عدة انواع منها :
1- RD RAM:
ذاكرة Rambus DRAM : تعتمد على تقنية مذهلة ترتكز على توزيع نقل المعلومة بين الذاكرة والمعالج على أكثر من قناة. بواسطة تصغير حجم الناقل الأمامي إلى 16 بت بدل 32 بت والمستخدمة في الذواكر الأخرى ومن ثم توزيع الحركة على أكثر من قناة تعمل كل واحدة منها بشكل متوازي، تم الوصول لسرعات تردد تصل إلى 800 ميغاهرتز. للأسف زيادة التردد هذه لا تعنى زيادة كبيرة بحجم المعلومة التي يتم نقلها، هذه الذاكرة تستطيع بأفضل حال تقل 1600 ميغابايت في الثانية بسبب تصغير حجم الناقل إلى 16 بت.
النوع الوحيد من المعالجات التي تدعم مثل هذه الذاكرة هو بنتيوم4 المصنع من شركة Intel. كما أن شركة Intel هي الشركة الوحيدة التي تصنع شرائح لوحة أم تستطيع التعامل معها.
كذلك تعانى هذه الذاكرة من بطء تواقيتها. هذا البطء يؤثر على السرعة الإجمالية للذاكرة مما يؤدى إلى عدم الاستفادة من زيادة سرعة النقل بشكل كبير. في كثير من الأحيان فان ذاكرة RDRAM لا تستطيع التفوق على ذاكرة DDR-DRAM. و بسبب سعرها العالي ، ومطالبة شركة Rambus المصنعين بدفع رسوم تصنيع عالية، و أدائها الغير مقنع، فان غالب الشركات المصنعة للذاكرة و المعالجات وشرائح اللوحات الأم قد اتجهت إلي تأييد وتصنيع ذاكرة DDR- SDRAM.
2- SD RAM :

Synchronous DRAM: ربما تكون أشهر أنواع الذاكرة و أكثرها استخداما ألآن، كلمة Synchronous تعنى أن هذه الذاكرة تعمل بنفس سرعة تردد الناقل الأمامي للجهاز بحسب جودة التصنيع لهذا النوع من الذاكرة، فانه بإمكانها الوصول لسرعة تردد 150 ميغاهرتز وزمن ولوج يصل إلى 7 نانو ثانية. بسبب اعتماد ذاكرة SDRAM على سرعة الناقل الأمامي للجهاز لنقل المعلومة، فان أقصى حجم من المعلومات يمكن نقلها مابين الذاكرة والمعالج هي 800 ميغابايت في الثانية إذا كانت سرعة تردد الناقل الأمامي 100 ميغاهرتز و 1050 ميغابايت إذا كانت 133 ميغاهرتز.
هذه الذاكرة تكون بعرض 5.375 بوصة وبارتفاع 1 بوصة تقريبا. التمييز الخارجي للذاكرة من هذا النوع هو بعدد الإبر وهى 168 إبرة ووجود حزين بدل واحد أحدهما بالمنتصف تماما والأخر بأول ربع من الإبر. هذه الذاكرة تأتى بشكل SIMM مما يعنى وجود الشرائح على جنب واحد أو DIMM وهى اختصار لجملة Dual Inline Memory Module مما يعنى وجود شرائح الذاكرة من أمام وخلف لوحة الدوائر المطبوعة.
3- DDR-DRAM:

هو التطور المنطقي لذاكرة SDRAM.الشكل الخارجي لهذه الذاكرة مشابه لذاكرة SDR من ناحية العرض والارتفاع ,الفرق يكون بعدد الإبر الموجودة والتي يبلغ عددها 184 إبرة. كما تتميز بوجود حز واحد بثلث المسافة بين الإبر و هذه الذاكرة تأتى بشكل DIMM.
و لزيادة حجم المعلومة المنقولة بين المعالج والذاكرة، فانه تم اختراع تقنية مضاعفة تردد الناقل الأمامي لكي تحول سرعة تردد الناقل الأمامي من 100 إلى 200 ميغاهرتز ومن 133 إلى 266 ميغاهرتز. من هنا أتى المسمى Double Data Rate DRAM.
هذه التقنية ساعدت كثيرا في تحسين مستوى نقل المعلومة، فبات بالإمكان تقل المعلومات بين المعالج والذاكرة بسرعات تصل إلى 2100 ميغابايت بالثانية.
إن سرعة نقل البيانات DDR أسرع من الـ SDRAM ولكن ليست سرعة مضاعفة ولكنها بشكل عام أفضل من الـ SDRAM من حيث الكفاءة والأداء .

ملاحظة هامة :
الفوائد من تحديث الذاكرة
تحديث الذاكرة يعتبر أسهل وارخص طريقة لتحديث النظام ككل ,وهو مناسب للأشخاص الذين يتعاملون مع الملفات الضخمة , والذين يقومون بتشغيل عدة برامج في نفس الوقت , أ و الذين يتعاملون مع برامج الفيديو و الألعاب 3D.
الوقت المناسب لتحديث الذاكرة
- إذا كنت تلاحظ بطئ مؤشر الفأرة "الحركة الخاصة بالمؤشر تقطع "
- وفى حالة علو صوت القرص الصلب
- وفى حالة بطئ الجهاز بصفة عامه لا تتوقعها
كل هذه علامات لتحديث الذاكرة ,لأن في حالة امتلاء الذاكرة فان النظام يقوم بنقل البيانات إلي القرص الصلب بدلا من الذاكرة "Swapping " ومادام القرص الصلب سرعته أقل بحوالي 100 مرة من الذاكرة فان النتيجة ستكون بطئ النظام .
-يعتبر حجم الذاكرة 128 مناسب جدا الأن " وخاصة أن الأسعار فى انخفاض مستمر " واذا كنت من هواة الرسوميات وتريد أداء أفضل فعليك بـ 256.
- يمكنك إضافة سرعات مختلفة مع بعض في نفس الوقت, لكن أهم شئ هو أن تضع الأكبر حجما في الشق الأول والأقل في الشق الثاني .
س- ماذا تعنى هذه الأرقام PC100, PC133, PC1600, PC2100 ؟
ج- أولا بالنسبة للذاكرة SDRAM فان الأرقام التي تأتى بعد كلمة PC فإنها تشير لسرعة الناقل الأمامي فالنوع PC133 مثلا يشير إلى إن سرعة الناقل الأمامي هي 133 وهذا النوع من الذاكرة يستخدم في أنظمة من النوع Pentium II, Pentium III, AMD K6-III, AMD Athlon , AMD Duran
أما بخصوص الذاكرة من النوع DDR فالأرقام التي تأتي بعد كلمة PC فإنها تشير إلى سرعة نقل البيانات في الثانية فالنوع PC2100 مثلا يشير إلى إنه يتم نقل البيانات بسرعة 2.1GB في الثانية تقريبا وهذا النوع من الذاكرة يستخدم في أنظمة من النوع AMD Athlon "XP & MP " وبعض من أنظمة Pentium III .
الفرق بين الرام وذاكرة القراءة
إن الفرق كبير وشاسع ، الذاكرة ROM (تسمى ذاكرة القراءة فقط) هي عبارة عن ذاكرة تخزن فيها البيانات في مصنعها و لا يمكن لمستخدم الحاسب أن يغيره بعد ذلك بل يكتفي بقراءة محتويات هذه الذاكرة ، لذا فهي تسمى ذاكرة القراءة فقط (Read Only Memory) بينما الرام تسمى ذاكرة القراءة والكتابة ( أو ذاكرة الوصول العشوائية).
RAM ROM
يمكن الكتابة عليها بواسطة المستخدم نعم لا
يمكن القراءة منها بواسطة المستخدم نعم نعم
السرعة أسرع أبطأ
الاستعمالات الشائعة مخزن مؤقت (وسريع) للبيانات التي يتعامل معها المعالجأو يتوقع أن يتعامل معها قريباً تخزين برنامج البيوس للوحة الأم
تعرض البيانات للتلف تمحى البيانات بمجرد إطفاء الحاسب تبقى البيانات في الرقاقة لفترة طويلة جداً (لانهائية تقريباً) ولا يمكن تغييرها في أغلبالأحيان
لماذا نحتاج أن نستعمل الروم بدلاً من الرام أو أقراص التخزين مثلاً ؟ هناك عدة أسباب لذلك :
• البيانات المخزنة في الروم دائمة وليست معرضة للتلف بأي شكل بعكس الأشكال الأخرى من التخزين .
• البيانات المخزنة في الروم لا يمكن تغييرها بالصدفة أو عن طريق فيروس ( مثلاً لا يمكن لفيروس محو المعلومات الموجودة على قرص CD-ROM ) .
• المعلومات المخزنة في الروم تتوفر لأجهزة الحاسب في جميع الأوقات ( رقاقة البيوس مثال جيد )

ذاكرة الأجهزة المحمولة
الأجهزة المحمولة تحتاج أن تكون الذاكرة صغيرة بالحجم وذلك لمتطلبات هذه الأجهزة المتخصصة. بسبب عدم وجود قواعد محددة تلزم مصنعي أجهزة الحاسب المحمول باستخدام شكل موحد، فان الكثير من الأجهزة تتطلب أن يكون شكل الذاكرة مصمم خصيصا لها.
سنذكر 3 أنواع من أشكال الذاكرة المستخدمة.
MICRODIMM :

عرضها 1.545 بوصة وارتفاعها 1 بوصة. في غالب الوقت تكون من نوع SDRAM بتردد 100 ميغاهرتز. كما هو واضح بالصورة فانه لا يوجد أي حز بين الإبر. عدد الإبر المستخدمة هو 144 إبرة.
SODIMM :
الذاكرة من هذا النوع تنقسم إلي نوعين :

النوع الأول يحتوى على 144 إبرة وحز واحد بين الإبر. العرض هو 2.625 بوصة والارتفاع 1 بوصة تقريبا. شرائح الذاكرة المستخدمة تكون EDO DRAM أو SDRAM بتردد لغاية 133 ميغاهرتز.

النوع الثاني يكون اصغر حجما، حيث أن عرضه يكون 2.375 وارتفاعه يعادل 1 بوصة. عدد الإبر المستخدمة هو 72 إبرة ولا يوجد أي حز بينهم.
شرائح الذاكرة المستخدمة على هذا الشكل من الذاكرة تكون نوع EDO DRAM أو FPM DRAM.
ذاكرة الطابعة


هنا، كما في ذاكرة الأجهزة المحمولة، تختلف الأشكال الخارجية للذاكرة المستخدمة للطابعات. لربما يكون اكثر شكل مستخدم هو المبين بالصورة ويبلغ عدد الإبر المستخدمة به 100 إبرة.
هذا النوع يكون عرضه 3.5 بوصة وارتفاعه 1.25 بوصة. يوجد حزين بين الإبر، أحدهما بالمنتصف والثاني بأول ربع من الإبر.
ذاكرة كرت الشاشة


غالب كروت الشاشة الحديثة لا تسمح للمستخدم بزيادة حجم الذاكرة. طبعا لكل قاعدة استثناء والاستثناء الذي سنتكلم عنه هو اللوحات الأم التي تستخدم طقم شرائح Intel i815.
في هذه الحالة يمكن استخدام ذاكرة بشكل AIMM كما نرى من الصورة فان الشكل الخارجي لهذه الذاكرة يختلف كثيرا عن أي نوع أخر. السبب في اختلاف الشكل هو أن هذه الذاكرة يتم تركيبها بشق AGP والمخصص لكروت الشاشة على اللوحة الأم.

الأشرطة المغناطيسية Magnetic tapes
الأشرطة المغناطيسية هي وحدات تخزين قديمة ولا تستخدم حالياً إلا نادراً وفي مجالات محدودة جداً إلا أنه أحببت أن أذكرها لمجرد العلم بالشيء ولتوضيح نقطة تتعلق بأسلوب التعامل مع وحدات التخزين الخاصة بالحاسوب.
الأشرطة المغناطيسية المستخدمة مع الحاسوب هي شبيهه بالأشرطة المغناطيسية المستخدمة مع المسجلات والتي نسميها كاسيت أو شريط تسجيل Cassette ونحن نعرف أن هذا الشريط لا يمكن الانتقال من خلاله من موضع إلى موضع آخر إلا بشكل مرتب و بتسلسل أي يجب المرور على المقطع الأول قبل أن نصل إلى الثاني وهكذا . وهذا الأسلوب في التعامل مع بيانات الشريط يعتبر أسلوب بطيء ولا يتماشى مع سرعة الحاسوب ولهذا السبب أصبح استخدام الأشرطة المغناطيسية مع الحاسوب أمراً غيرمجدي ولهذا السبب استبعدت ( تقريباً ) الأشرطة المغناطيسية عن عالم الحاسوب.



تعد الأشرطة المغناطيسية من أرخص وحدات التخزين الثانوية ويتكون الشريط المغناطيسي من شريط معدني أو بلاستيكي مقوي ومغطي بمادة قابلة للمغنطة حيث يقسم الشريط إلى قنوات طويلة عددها ثمانية مسارات يتم تسجيل البيانات عليها كما هو مبين في الشكل التالي:



يثبت الشريط عادة في مشغل الأشرطة (tape drive) والذي يتكون في العادة من:

-1بكرتين واحدة للشريط والآخر لاستقبال الشريط.
-2وحدة قراءة وكتابة تمتلك رأس القراءة والكتابة.
-3مجموعة من الوحدات الميكانيكية لتحريك الشريط.
-4وحدة تحكم محلية للإشراف على عمليات القراءة والكتابة وتحريك الشريط للأمام أو الخلف.

تعتمد سعة التخزين كمية البيانات المخزنة في الشريط المغناطيسي على عدة عوامل أهمها:
• طول الشريط وعادة ما يقاس طول الشريط بالقدم حيث طول الشريط إلى 2400 قدم أو أكثر.
• كثافة التخزين ويقصد بها عدد الرموز التي يمكن تخزينها في الإنش الواحد character per inch: CPI وتتوفر أشرطة بكثافة تخزين 80 حرفاً في الإنش الواحد و160 حرفاً في الإنش الواحد.
كيفية تسجيل البيانات على الشريط : والتي تحدد المساحات الفارغة التي يمكن تركها وهناك طريقتان لإجراء عملية التسجيل والقراءة هي:
* طريقة السجل Record
عند استخدام طريقة السجل يتم تجميع البيانات في سجلاتRecord بحيث يتم فصل كل سجل عن السجل الآخر بفراغ طوله عادة 1\5 إنش ويستفاد من هذا الفراغ في:
•تميز السجلات بعضها عن بعض حيث يعتبر الفراغ النهاية الفعلية للسجل.
•التخفيف ما أمكن من عزم قصور الشريط عند تحريك الشريط يسمى الفراغ المتروك بين كل سجلين Inter Record Gap )IRG) ويبين الشكل كيفية تخزين السجلات على الشريط.



من الشكل السابق يتبين أن الشريط مقسم إلى ثلاثة مناطق:
-1منطقة الذيل وعادة لا تكون مغطاة بمادة قابلة للمغنطة وتستخدم لتثبيت الشريط على البكرة وتكون هذه المنطقة في بداية الشريط وفي نهايته.
-2منطقة المقدمة وهي جزء من الشريط تستخدم لحفظ معلومات عامة عن اسم الشركة أو المؤسسة، نوع البيانات المخزنة على الشريط، تاريخ تسجيل البيانات.
-3منطقة البيانات وهي المنطقة المخصصة لتسجيل السجلات.
* طريقة الكتلة Block
لاحظ أن وجود الفراغات يؤدي إلى هدر مساحات من الشريط وللتخلص جزيئًا من هذه المشكلة تستخدم طريقة البيانات بالكتل Blocks حيث يتم تجميع مجموعة من السجلات في كتلة واحدة ويترك الفراغ في هذه الحالة بين الكتلة والأخرى وبهذه الحالة نكون قد حققنا:
1- التخفيف ما أمكن من الفراغات.
2- زيادة سرعة القراءة أو الكتابة وكذلك لأن الكتلة تقرأ أو تكتب مرة واحدة بدلاً من إجراء عملية قراءة أو كتابة السجل بشكل منفرد ويبين الشكل كيفية تخزين البيانات على الشريط باستخدام الكتل.



يسمى الفراغ المتروك بين الكتل Inter Block Gap.

حسنات الشريط المغناطيسي
يعتبر الشريط المغناطيسي من وحدات التخزين المغناطيسية الشائعة الاستخدام وذلك للأسباب الآتية:
1-رخص ثمنه أي أن تكلفة حفظ البيانات متدنية.
2- إمكانية تخزين كميات كبيرة من البيانات.
3- يستخدم الشريط غالبا لحفظ النسخ الاحتياطية من البيانات Back Up والتي يمكن الرجوع إليها عند حدوث خلل ما في البيانات الأصلية والتي تكون عادة مخزنة على القرص المغناطيسي.
مساوئ الشريط المغناطيسي
-تكمن مساوئ الشريط المغناطيسي في تدني سرعة الكتابة والقراءة وذلك لأن الشريط وحدة تتابعية أي تتم القراءة فيه بشكل تتابعي لذا يستخدم الشريط فقط لتخزين الملفات التتابعية.
-يستخدم كوحدة إدخال للقراءة أو وحدة إخراج الكتابة في اللحظة الزمنية أي لا يجوز استخدامه كوحدة إدخال وإخراج ولتسجيل البيانات المخزنة على الشريط في مكان آخر لا بد من استخدام مشغل أشرطة ثان ولهذه الأسباب يقتصر استخدام الشريط على الاحتفاظ بالنسخ الاحتياطية والبيانات التاريخية التي لا تحتاج إلى عمليات معجلة مستمرة.
يتبع.....